IPD30N08S2L21ATMA1 vs BSC076N06NS3GATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IPD30N08S2L21ATMA1 מאת Infineon ו BSC076N06NS3GATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | IPD30N08S2L21ATMA1 | BSC076N06NS3GATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS | — |
| סוג טרנזיסטור | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 75 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 30 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=10 V | 26 milliohm (typ) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | Logic-level (L series) | 2.0 V to 3.5 V |
| Gate Charge (Qg) typ | 56 nC | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | 136 W | — |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55C to +175C | -55C to +150C |
| Maximum Junction Temperature | +175C | — |
| מארז | PG-TO252-3-11 (DPAK-2) | PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| מספר פינים | 3 (Drain tab + Gate + Source) | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | — |
| רמת MSL | 1 | 1 (unlimited) |
| Product Family | — | OptiMOS 3 |
| Technology | — | N-Channel Trench MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 50 A |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 7.6 mΩ |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V | — | 10.4 mΩ |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg value] |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 69 W |
| RoHS Compliance | — | Compliant |
| נטול הלוגנים | — | Yes (per Infineon product page) |