IPD30N08S2L21ATMA1 vs BSC076N06NS3GATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPD30N08S2L21ATMA1 بذریعہ Infineon اور BSC076N06NS3GATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IPD30N08S2L21ATMA1 | BSC076N06NS3GATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS | — |
| ٹرانزسٹر کی قسم | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 75 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 30 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=10 V | 26 milliohm (typ) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | Logic-level (L series) | 2.0 V to 3.5 V |
| Gate Charge (Qg) typ | 56 nC | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | 136 W | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55C to +175C | -55C to +150C |
| Maximum Junction Temperature | +175C | — |
| پیکیج | PG-TO252-3-11 (DPAK-2) | PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| پن کی تعداد | 3 (Drain tab + Gate + Source) | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | — |
| MSL لیول | 1 | 1 (unlimited) |
| Product Family | — | OptiMOS 3 |
| Technology | — | N-Channel Trench MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 50 A |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 7.6 mΩ |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V | — | 10.4 mΩ |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg value] |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 69 W |
| RoHS Compliance | — | Compliant |
| ہیلوجن فری | — | Yes (per Infineon product page) |