IPD50P04P413ATMA2 vs IRF4905STRRPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPD50P04P413ATMA2 tarafından Infineon ve IRF4905STRRPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPD50P04P413ATMA2 IRF4905STRRPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Polarity / Device Type P-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS-P2 (Trench) HEXFET (Advanced Process)
Drain-Source Voltage (VDS) -40 V -55 V
Continuous Drain Current (TC=25°C, ID) 50 A —
Continuous Drain Current (TC=100°C, ID) [DATA_NEEDED: ID @ 100°C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed IDM] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (TC=25°C, Ptot) 58 W —
On-State Resistance (RDS(on)) @ VGS=-10V 9.2 mΩ (typ) / 12.6 mΩ (max) —
On-State Resistance (RDS(on)) @ VGS=-4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) @ VGS=-4.5V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th)] -2.0 V to -4.0 V
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V ±20 V
Maximum Junction Temperature (TJ,max) 175 °C —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 °C to +175 °C —
Paket PG-TO252-3-313 (DPAK) D2PAK (TO-263-3)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Standard Pack Quantity (13" reel) 2500 pcs —
MSL Seviyesi 1 —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Polarity — P-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — -74 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=100C — [DATA_NEEDED: ID at TC=100C]
RDS(on) max at VGS=-10V — 20 mOhm
RDS(on) max at VGS=-4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-4.5V]
Total Gate Charge (Qg) — 120 nC
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 170 W
İşletim Jant Sıcaklığı — -55 C to +175 C
Lead-Free — Yes

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin