IPD50P04P413ATMA2 vs IRF4905STRRPBF So sánh

So sánh chi tiết song song của IPD50P04P413ATMA2 bằng Infineon và IRF4905STRRPBF bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
IPD50P04P413ATMA2 IPD50P04P413ATMA2 - P-Ch 40V 50A MOSFET | Infineon OptiMOS-P2

IPD50P04P413ATMA2 - P-Ch 40V 50A MOSFET | Infineon OptiMOS-P2

IPD50P04P413ATMA2 ✓ Hoạt động
Infineon
IRF4905STRRPBF IRF4905STRRPBF - 55V P-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRF4905STRRPBF - 55V P-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRF4905STRRPBF ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số IPD50P04P413ATMA2 IRF4905STRRPBF
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Polarity / Device Type P-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS-P2 (Trench) HEXFET (Advanced Process)
Drain-Source Voltage (VDS) -40 V -55 V
Continuous Drain Current (TC=25°C, ID) 50 A —
Continuous Drain Current (TC=100°C, ID) [DATA_NEEDED: ID @ 100°C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed IDM] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (TC=25°C, Ptot) 58 W —
On-State Resistance (RDS(on)) @ VGS=-10V 9.2 mΩ (typ) / 12.6 mΩ (max) —
On-State Resistance (RDS(on)) @ VGS=-4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) @ VGS=-4.5V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th)] -2.0 V to -4.0 V
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V ±20 V
Maximum Junction Temperature (TJ,max) 175 °C —
Khoảng nhiệt độ hoạt động -55 °C to +175 °C —
Hộp PG-TO252-3-313 (DPAK) D2PAK (TO-263-3)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Standard Pack Quantity (13" reel) 2500 pcs —
Cấp MSL 1 —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Trạng thái RoHS Compliant Compliant
Polarity — P-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — -74 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=100C — [DATA_NEEDED: ID at TC=100C]
RDS(on) max at VGS=-10V — 20 mOhm
RDS(on) max at VGS=-4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-4.5V]
Total Gate Charge (Qg) — 120 nC
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 170 W
Nhiệt độ mối nối hoạt động — -55 C to +175 C
Lead-Free — Yes

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá