IPD50R380CEAUMA1 vs IPD60R385CPATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPD50R380CEAUMA1 tarafından Infineon ve IPD60R385CPATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPD50R380CEAUMA1 IPD60R385CPATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) 500 V 600 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C 14.1 A —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=100C [DATA_NEEDED: Id at Tc=100C] —
Pulsed Drain Current (Idm) [DATA_NEEDED: Idm] —
On-State Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V 380 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typ] —
Total Power Dissipation (Ptot) at Tc=25C 98 W —
İşletim Jant Sıcaklığı -55C to +150C -55 °C to +150 °C
Technology CoolMOS CE (super-junction) —
Channel Type N-Channel —
Paket PG-TO252-3 (DPAK) —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
RoHS Durumu Compliant Compliant
AEC-Q101 Automotive Not qualified (CE variant; use CE-A for automotive) —
MSL (Moisture Sensitivity Level) [DATA_NEEDED: MSL level] —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — CoolMOS™ CP (5th generation)
FET Type — N-Channel
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 385 mΩ (typ, VGS = 10 V)
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 9 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 27 A
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 83 W
Gate Charge (Qg) — 18 nC (typ)
Reverse Recovery Charge (Qrr) — [DATA_NEEDED: Qrr]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
Paket / Kas — PG-TO252-3 (DPAK)
Pin Sayısı — 3 (Gate, Drain, Source; tab = Drain)
MSL Seviyesi — 1 (per JEDEC J-STD-020)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin