IPD50R380CEAUMA1 vs IPD60R385CPATMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IPD50R380CEAUMA1 מאת Infineon ו IPD60R385CPATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IPD50R380CEAUMA1 IPD60R385CPATMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) 500 V 600 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C 14.1 A —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=100C [DATA_NEEDED: Id at Tc=100C] —
Pulsed Drain Current (Idm) [DATA_NEEDED: Idm] —
On-State Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V 380 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typ] —
Total Power Dissipation (Ptot) at Tc=25C 98 W —
טמפרטורת צומת פעולה -55C to +150C -55 °C to +150 °C
Technology CoolMOS CE (super-junction) —
Channel Type N-Channel —
מארז PG-TO252-3 (DPAK) —
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
סטטוס RoHS Compliant Compliant
AEC-Q101 Automotive Not qualified (CE variant; use CE-A for automotive) —
MSL (Moisture Sensitivity Level) [DATA_NEEDED: MSL level] —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — CoolMOS™ CP (5th generation)
FET Type — N-Channel
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 385 mΩ (typ, VGS = 10 V)
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 9 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 27 A
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 83 W
Gate Charge (Qg) — 18 nC (typ)
Reverse Recovery Charge (Qrr) — [DATA_NEEDED: Qrr]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
מארז / Case — PG-TO252-3 (DPAK)
מספר פינים — 3 (Gate, Drain, Source; tab = Drain)
רמת MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר