IPD50R380CEAUMA1 vs IPD60R385CPATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPD50R380CEAUMA1 بذریعہ Infineon اور IPD60R385CPATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IPD50R380CEAUMA1 IPD60R385CPATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) 500 V 600 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C 14.1 A —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=100C [DATA_NEEDED: Id at Tc=100C] —
Pulsed Drain Current (Idm) [DATA_NEEDED: Idm] —
On-State Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V 380 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typ] —
Total Power Dissipation (Ptot) at Tc=25C 98 W —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55C to +150C -55 °C to +150 °C
Technology CoolMOS CE (super-junction) —
Channel Type N-Channel —
پیکیج PG-TO252-3 (DPAK) —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
AEC-Q101 Automotive Not qualified (CE variant; use CE-A for automotive) —
MSL (Moisture Sensitivity Level) [DATA_NEEDED: MSL level] —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — CoolMOS™ CP (5th generation)
FET Type — N-Channel
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 385 mΩ (typ, VGS = 10 V)
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 9 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 27 A
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 83 W
Gate Charge (Qg) — 18 nC (typ)
Reverse Recovery Charge (Qrr) — [DATA_NEEDED: Qrr]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
پیکیج / کیس — PG-TO252-3 (DPAK)
پن کی تعداد — 3 (Gate, Drain, Source; tab = Drain)
MSL لیول — 1 (per JEDEC J-STD-020)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں