IPD60R145CFD7ATMA1 vs IPB60R165CPATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPD60R145CFD7ATMA1 tarafından Infineon ve IPB60R165CPATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPD60R145CFD7ATMA1 IPB60R165CPATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel —
Technology CoolMOS CFD7 (superjunction) CoolMOS CP (superjunction, N-Channel)
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) 600 V —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) 16 A (T<sub>C</sub> = 25C) —
On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max 145 mOhm —
Power Dissipation (P<sub>D</sub>) 83 W (T<sub>C</sub> = 25C) —
Gate Threshold Voltage V<sub>GS(th)</sub> [DATA_NEEDED: Vth typical/min/max] —
Paket TO-252AA (DPAK) surface mount PG-TO263-3-2 (D2PAK-2)
Body Diode Integrated fast body diode (low Q<sub>rr</sub>) —
İşletim Sıcaklığı -55C to +150C (junction) —
Montaj Türü Surface Mount (DPAK, 3-pin + tab) Surface Mount
Pin Sayısı 3 (Gate, Drain, Source) —
Series CoolMOS CFD7 —
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL rating] —
RoHS Durumu Compliant Compliant (Pb-free lead plating)
Target Application ZVS / LLC resonant converters, soft switching —
Drain-Source Voltage (VDS) — 600 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 21 A
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) — 192 W
On-Resistance RDS(on), max (VGS=10V) — 165 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) — 3.5 V
Total Gate Charge (Qg, typ) — [DATA_NEEDED: Qg typical value]
Operating Temperature Range (TJ) — -55°C to +150°C
JEDEC Qualification — Qualified per JEDEC for target applications
dv/dt Ruggedness — Extreme dv/dt rated
Polarity / Channel — N-Channel

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin