IPD60R210PFD7SAUMA1 vs IPD60R600P7ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPD60R210PFD7SAUMA1 tarafından Infineon ve IPD60R600P7ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IPD60R600P7ATMA1 IPD60R600P7ATMA1 - 600V 6A CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPD60R600P7ATMA1 - 600V 6A CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPD60R600P7ATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPD60R210PFD7SAUMA1 IPD60R600P7ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family CoolMOS PFD7 —
Technology Superjunction (CoolMOS) N-Channel Power MOSFET Superjunction (SJ) / CoolMOS
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 600 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 16 A —
On-Resistance (RDS(on), max) 210 mOhm —
Power Dissipation (Ptot, Tc=25C) 64 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) 3.5 V —
Gate Charge (Qg, typ) [DATA_NEEDED: Qg value] —
Package Type TO-252 (DPAK) —
Manufacturer Package Designator PG-TO252-3-344 —
Montaj Türü Surface Mount (SMT) Surface Mount
Pin Configuration 3-Pin (2+Tab) - Gate, Drain (tab), Source —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +150C (TJ) -55C to +150C (TJ)
Lead-Free / RoHS Yes (compliant) —
Application Segment Consumer-grade SMPS —
Part Number — IPD60R600P7ATMA1
Series — CoolMOS P7
Transistor Türü — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID, TC) — 6 A
On-Resistance (RDS(on)) — 490 mOhm (max)
Power Dissipation (PD, TC) — 30 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max]
Paket / Kas — PG-TO252-3 (DPAK), surface mount
MSL Seviyesi — 1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS Durumu — Compliant
Generation — CoolMOS 7th generation (P7, successor to P6)
Ordering Code Suffix — ATMA1 = Tape & Reel, 13-inch

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin