IPD60R385CPATMA1 vs IPD50R380CEAUMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPD60R385CPATMA1 tarafından Infineon ve IPD50R380CEAUMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPD60R385CPATMA1 IPD50R380CEAUMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Series CoolMOS™ CP (5th generation) —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) 600 V 500 V
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 385 mΩ (typ, VGS = 10 V) —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 9 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 27 A —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 83 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th)] [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max]
Gate Charge (Qg) 18 nC (typ) —
Reverse Recovery Charge (Qrr) [DATA_NEEDED: Qrr] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
İşletim Jant Sıcaklığı -55 °C to +150 °C -55C to +150C
Paket / Kas PG-TO252-3 (DPAK) —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Pin Sayısı 3 (Gate, Drain, Source; tab = Drain) —
RoHS Durumu Compliant Compliant
MSL Seviyesi 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C — 14.1 A
Continuous Drain Current (Id) at Tc=100C — [DATA_NEEDED: Id at Tc=100C]
Pulsed Drain Current (Idm) — [DATA_NEEDED: Idm]
On-State Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V — 380 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typ]
Total Power Dissipation (Ptot) at Tc=25C — 98 W
Technology — CoolMOS CE (super-junction)
Channel Type — N-Channel
Paket — PG-TO252-3 (DPAK)
AEC-Q101 Automotive — Not qualified (CE variant; use CE-A for automotive)
MSL (Moisture Sensitivity Level) — [DATA_NEEDED: MSL level]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin