IPD60R385CPATMA1 vs IPD50R380CEAUMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IPD60R385CPATMA1 توسط Infineon و IPD50R380CEAUMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IPD60R385CPATMA1 IPD50R380CEAUMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Series CoolMOS™ CP (5th generation) —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) 600 V 500 V
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 385 mΩ (typ, VGS = 10 V) —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 9 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 27 A —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 83 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th)] [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max]
Gate Charge (Qg) 18 nC (typ) —
Reverse Recovery Charge (Qrr) [DATA_NEEDED: Qrr] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
دمای اتصال کاری -55 °C to +150 °C -55C to +150C
بسته‌بندی / کیس PG-TO252-3 (DPAK) —
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
تعداد پایه 3 (Gate, Drain, Source; tab = Drain) —
وضعیت RoHS Compliant Compliant
سطح MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C — 14.1 A
Continuous Drain Current (Id) at Tc=100C — [DATA_NEEDED: Id at Tc=100C]
Pulsed Drain Current (Idm) — [DATA_NEEDED: Idm]
On-State Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V — 380 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typ]
Total Power Dissipation (Ptot) at Tc=25C — 98 W
Technology — CoolMOS CE (super-junction)
Channel Type — N-Channel
بسته‌بندی — PG-TO252-3 (DPAK)
AEC-Q101 Automotive — Not qualified (CE variant; use CE-A for automotive)
MSL (Moisture Sensitivity Level) — [DATA_NEEDED: MSL level]

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت