IPD60R385CPATMA1 vs IPD50R380CEAUMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IPD60R385CPATMA1 מאת Infineon ו IPD50R380CEAUMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IPD60R385CPATMA1 IPD50R380CEAUMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Infineon Technologies —
Series CoolMOS™ CP (5th generation) —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) 600 V 500 V
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 385 mΩ (typ, VGS = 10 V) —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 9 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 27 A —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 83 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th)] [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max]
Gate Charge (Qg) 18 nC (typ) —
Reverse Recovery Charge (Qrr) [DATA_NEEDED: Qrr] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
טמפרטורת צומת פעולה -55 °C to +150 °C -55C to +150C
מארז / Case PG-TO252-3 (DPAK) —
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
מספר פינים 3 (Gate, Drain, Source; tab = Drain) —
סטטוס RoHS Compliant Compliant
רמת MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C — 14.1 A
Continuous Drain Current (Id) at Tc=100C — [DATA_NEEDED: Id at Tc=100C]
Pulsed Drain Current (Idm) — [DATA_NEEDED: Idm]
On-State Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V — 380 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typ]
Total Power Dissipation (Ptot) at Tc=25C — 98 W
Technology — CoolMOS CE (super-junction)
Channel Type — N-Channel
מארז — PG-TO252-3 (DPAK)
AEC-Q101 Automotive — Not qualified (CE variant; use CE-A for automotive)
MSL (Moisture Sensitivity Level) — [DATA_NEEDED: MSL level]

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר