IPD70N10S312ATMA1 vs IPD70N10S312ATMA2 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPD70N10S312ATMA1 tarafından Infineon ve IPD70N10S312ATMA2 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPD70N10S312ATMA1 IPD70N10S312ATMA2
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) Infineon Technologies
Part Number IPD70N10S312ATMA1 IPD70N10S312ATMA2
Product Family OptiMOS-T Power-Transistor —
FET Type N-Channel, Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 70 A 70 A
Pulsed Drain Current (IDM) 180 A —
Power Dissipation (PD, Tc) 125 W —
On-State Resistance (RDS(on)) 11.1 mΩ @ 70 A, 10 V VGS —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th)] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Input Capacitance (Ciss) 4355 pF @ 25 V —
Total Gate Charge (Qg) 65 nC @ 10 V —
Operating Temperature (TJ) -55 °C to +175 °C —
Paket PG-TO252-3-11 (DPAK, 2 Leads + Tab) PG-TO252-3-11 (DPAK)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
MSL Seviyesi MSL1 (up to 260 °C peak reflow) 1 (unlimited floor life)
Automotive Qualification AEC-Q101 —
Avalanche Tested 100 % (per datasheet) —
RoHS Compliance Green product, RoHS compliant —
Technology — OptiMOS-T Power-MOSFET (N-Channel)
Power Dissipation (Ptot, Tc=25C) — 125 W
On-State Resistance RDS(on) — [DATA_NEEDED: typical RDS(on) at VGS=10V]
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55C to +175C
Pin Sayısı — 3 (Gate, Drain, Source)
Channel Type — N-Channel Enhancement Mode
RoHS Durumu — Compliant
Avalanche Rated — Yes

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin