IPD70N10S312ATMA1 vs IPD70N10S312ATMA2 So sánh

So sánh chi tiết song song của IPD70N10S312ATMA1 bằng Infineon và IPD70N10S312ATMA2 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
IPD70N10S312ATMA1 IPD70N10S312ATMA1 - 100V 70A N-Channel MOSFET | TXF | TO-252

IPD70N10S312ATMA1 - 100V 70A N-Channel MOSFET | TXF | TO-252

IPD70N10S312ATMA1 ✓ Hoạt động
Infineon
IPD70N10S312ATMA2 IPD70N10S312ATMA2 - 100V 70A N-Ch OptiMOS Power MOSFET | Infineon

IPD70N10S312ATMA2 - 100V 70A N-Ch OptiMOS Power MOSFET | Infineon

IPD70N10S312ATMA2 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số IPD70N10S312ATMA1 IPD70N10S312ATMA2
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) Infineon Technologies
Part Number IPD70N10S312ATMA1 IPD70N10S312ATMA2
Product Family OptiMOS-T Power-Transistor —
FET Type N-Channel, Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 70 A 70 A
Pulsed Drain Current (IDM) 180 A —
Power Dissipation (PD, Tc) 125 W —
On-State Resistance (RDS(on)) 11.1 mΩ @ 70 A, 10 V VGS —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th)] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Input Capacitance (Ciss) 4355 pF @ 25 V —
Total Gate Charge (Qg) 65 nC @ 10 V —
Operating Temperature (TJ) -55 °C to +175 °C —
Hộp PG-TO252-3-11 (DPAK, 2 Leads + Tab) PG-TO252-3-11 (DPAK)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Cấp MSL MSL1 (up to 260 °C peak reflow) 1 (unlimited floor life)
Automotive Qualification AEC-Q101 —
Avalanche Tested 100 % (per datasheet) —
RoHS Compliance Green product, RoHS compliant —
Technology — OptiMOS-T Power-MOSFET (N-Channel)
Power Dissipation (Ptot, Tc=25C) — 125 W
On-State Resistance RDS(on) — [DATA_NEEDED: typical RDS(on) at VGS=10V]
Khoảng nhiệt độ hoạt động — -55C to +175C
Số chân — 3 (Gate, Drain, Source)
Channel Type — N-Channel Enhancement Mode
Trạng thái RoHS — Compliant
Avalanche Rated — Yes

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá