IPD70N10S312ATMA1 vs IPD70N10S312ATMA2 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPD70N10S312ATMA1 بذریعہ Infineon اور IPD70N10S312ATMA2 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IPD70N10S312ATMA1 | IPD70N10S312ATMA2 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) | Infineon Technologies |
| Part Number | IPD70N10S312ATMA1 | IPD70N10S312ATMA2 |
| Product Family | OptiMOS-T Power-Transistor | — |
| FET Type | N-Channel, Enhancement Mode | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 70 A | 70 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 180 A | — |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 125 W | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) | 11.1 mΩ @ 70 A, 10 V VGS | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | ±20 V | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th)] | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| Input Capacitance (Ciss) | 4355 pF @ 25 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 65 nC @ 10 V | — |
| Operating Temperature (TJ) | -55 °C to +175 °C | — |
| پیکیج | PG-TO252-3-11 (DPAK, 2 Leads + Tab) | PG-TO252-3-11 (DPAK) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL لیول | MSL1 (up to 260 °C peak reflow) | 1 (unlimited floor life) |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | — |
| Avalanche Tested | 100 % (per datasheet) | — |
| RoHS Compliance | Green product, RoHS compliant | — |
| Technology | — | OptiMOS-T Power-MOSFET (N-Channel) |
| Power Dissipation (Ptot, Tc=25C) | — | 125 W |
| On-State Resistance RDS(on) | — | [DATA_NEEDED: typical RDS(on) at VGS=10V] |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | — | -55C to +175C |
| پن کی تعداد | — | 3 (Gate, Drain, Source) |
| Channel Type | — | N-Channel Enhancement Mode |
| RoHS اسٹیٹس | — | Compliant |
| Avalanche Rated | — | Yes |