IPD90N04S403ATMA1 vs IPD78CN10NGATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPD90N04S403ATMA1 tarafından Infineon ve IPD78CN10NGATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPD90N04S403ATMA1 IPD78CN10NGATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS-T2 —
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (V_DS) 40 V —
Continuous Drain Current (I_D, Tc) 90 A —
On-State Resistance (R_DS(on)) 3.2 mOhm typical at V_GS = 10 V —
Maximum Power Dissipation (P_D, Tc=25C) 94 W —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Paket PG-TO252-3-313 (DPAK) —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Jant Sıcaklığı -55C to +175C —
MSL Seviyesi MSL1 (peak reflow up to 260C) 1 (per JEDEC J-STD-020)
AEC-Q101 Qualification Qualified (automotive grade) —
Avalanche Tested 100% avalanche-tested —
RoHS Compliance Compliant (Green Package) Compliant
Technology Trench MOSFET (OptiMOS-T2) OptiMOS 2 Power-Transistor
Series — OptiMOS 2
Transistor Türü — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 13 A
On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V — 78 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) Typ — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Total Gate Charge Qg Typ — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissipation (PD) Max at Tc=25C — 31 W
Operating Junction Temperature Max — 175 C
Paket / Kas — PG-TO252-3 (DPAK)
Pin Sayısı — 3 (Gate, Drain, Source) + Tab
Lead Plating — Pb-free (Matte Tin)
JEDEC Qualification — Qualified per JEDEC1 for target application

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin