IPG16N10S4L61AATMA1 vs IAUC120N04S6N010ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPG16N10S4L61AATMA1 tarafından Infineon ve IAUC120N04S6N010ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IAUC120N04S6N010ATMA1 IAUC120N04S6N010ATMA1 - 40V 1mΩ 150A N-Ch OptiMOS 6 | Infineon

IAUC120N04S6N010ATMA1 - 40V 1mΩ 150A N-Ch OptiMOS 6 | Infineon

IAUC120N04S6N010ATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPG16N10S4L61AATMA1 IAUC120N04S6N010ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type Dual N-Channel (Array) N-Channel
Technology Logic-Level, Enhancement Mode OptiMOS 6
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at 25C 16 A —
Power Dissipation (PD) 29 W —
Paket / Kas PG-TDSON-8-10 (Wettable Flank) —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı -55C to +175C (TJ) —
Nem Hassasiyet Seviyesi (MSL) MSL1 (unlimited floor life at <30C / 85% RH) —
Peak Reflow Temperature 260 C —
AEC-Q101 Qualification Qualified (automotive grade) —
RoHS Compliance Compliant (Green Product) —
Avalanche Tested 100% (per datasheet) —
AOI Compatible Yes (Wettable Flank) —
FET Feature Logic Level Gate —
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) — 40 V
Continuous Drain Current (Id, Tc) — 150 A
Power Dissipation (Pd, Tc) — 150 W
RDS(on) at VGS=10V (typ) — 1.0 mΩ
RDS(on) at VGS=10V (max per LCSC excerpt) — 1.03 mΩ
Gate-Source Threshold (VGS(th), typ) — 3 V (at 90 µA)
Paket — PG-TDSON-8-34 (5x6 mm leadless)
Automotive Qualification — AEC-Q101
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55 °C to +175 °C (TJ, per Infineon OptiMOS 6 family)
MSL Seviyesi — 1 (per JEDEC J-STD-020, per Infineon TDSON family)
RoHS Durumu — Compliant
Gate Drive Recommendation — 10 V VGS for full RDS(on) spec
Polarity — Single N-channel

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin