IPG20N04S4L11ATMA1 vs IPG20N04S4L08ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPG20N04S4L11ATMA1 tarafından Infineon ve IPG20N04S4L08ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPG20N04S4L11ATMA1 IPG20N04S4L08ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
FET Feature Logic Level Gate Logic Level Gate
Drain-to-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID) @ 25C 20 A per channel —
R<sub>DS(on)</sub> Max @ VGS=10V, ID=17A 11.6 mOhm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
Maximum Power Dissipation (PD) 41 W —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +175C —
Paket PG-TDSON-8-4 (Super S08 / 8-TDSON EP) —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
MSL Seviyesi 1 (260C peak reflow) MSL1 (per JEDEC J-STD-020, up to 260°C peak reflow)
Avalanche Rating 100% Avalanche Tested —
Automotive Qualification AEC-Q101 Qualified —
RoHS Durumu Compliant (Green Product) —
Technology OptiMOS-T2 trench —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IPG20N04S4L08ATMA1
Drain-to-Source Voltage (Vdss) — 40 V
Continuous Drain Current (Id) @ 25°C — 20 A
On-Resistance Rds(on) max @ Vgs=10V, Id=17A — 8.2 mΩ
Power Dissipation (Pd) — 54 W
İşletim Sıcaklığı — -55°C to +175°C
Paket / Kas — PG-TDSON-8-4 (TDSON-8)
Series — OptiMOS™-T2, Automotive, AEC-Q101
Avalanche Tested — 100% Avalanche Tested
RoHS / Green — RoHS Compliant, Green Product
Part Status — Active

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin