IPG20N04S4L11ATMA1 vs IPG20N04S4L08ATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPG20N04S4L11ATMA1 بذریعہ Infineon اور IPG20N04S4L08ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IPG20N04S4L11ATMA1 IPG20N04S4L11ATMA1 - 40V 20A Dual N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPG20N04S4L11ATMA1 - 40V 20A Dual N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPG20N04S4L11ATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IPG20N04S4L11ATMA1 IPG20N04S4L08ATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
FET Feature Logic Level Gate Logic Level Gate
Drain-to-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID) @ 25C 20 A per channel —
R<sub>DS(on)</sub> Max @ VGS=10V, ID=17A 11.6 mOhm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
Maximum Power Dissipation (PD) 41 W —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +175C —
پیکیج PG-TDSON-8-4 (Super S08 / 8-TDSON EP) —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
MSL لیول 1 (260C peak reflow) MSL1 (per JEDEC J-STD-020, up to 260°C peak reflow)
Avalanche Rating 100% Avalanche Tested —
Automotive Qualification AEC-Q101 Qualified —
RoHS اسٹیٹس Compliant (Green Product) —
Technology OptiMOS-T2 trench —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IPG20N04S4L08ATMA1
Drain-to-Source Voltage (Vdss) — 40 V
Continuous Drain Current (Id) @ 25°C — 20 A
On-Resistance Rds(on) max @ Vgs=10V, Id=17A — 8.2 mΩ
Power Dissipation (Pd) — 54 W
آپریٹنگ درجہ حرارت — -55°C to +175°C
پیکیج / کیس — PG-TDSON-8-4 (TDSON-8)
Series — OptiMOS™-T2, Automotive, AEC-Q101
Avalanche Tested — 100% Avalanche Tested
RoHS / Green — RoHS Compliant, Green Product
Part Status — Active

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں