IPG20N04S4L11ATMA1 vs IPG20N06S2L65AATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPG20N04S4L11ATMA1 tarafından Infineon ve IPG20N06S2L65AATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Infineon
IPG20N04S4L11ATMA1 - 40V 20A Dual N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon
IPG20N04S4L11ATMA1 ✓ AktifÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | IPG20N04S4L11ATMA1 | IPG20N06S2L65AATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) | Dual N-Channel (Half Bridge / Independent) |
| FET Feature | Logic Level Gate | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 40 V | 55 V |
| Continuous Drain Current (ID) @ 25C | 20 A per channel | — |
| R<sub>DS(on)</sub> Max @ VGS=10V, ID=17A | 11.6 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] | — |
| Maximum Power Dissipation (PD) | 41 W | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55C to +175C | — |
| Paket | PG-TDSON-8-4 (Super S08 / 8-TDSON EP) | PG-TDSON-8-10 (TDSON-8 EP, wettable flank) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL Seviyesi | 1 (260C peak reflow) | MSL1 (peak reflow 260 C) |
| Avalanche Rating | 100% Avalanche Tested | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 Qualified | — |
| RoHS Durumu | Compliant (Green Product) | Compliant (Green Product) |
| Technology | OptiMOS-T2 trench | OptiMOS Trench MOSFET |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | OptiMOS |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 20 A (per channel) |
| Power Dissipation (PD) | — | 43 W |
| Gate Threshold (VGS(th)) | — | Logic-Level |
| İşletim Sıcaklığı | — | -55 C to +175 C |
| AEC-Q101 Qualification | — | Yes |
| Avalanche Tested | — | 100% (per datasheet) |
| AOI Compatible | — | Yes (wettable flank) |