IPG20N06S2L65AATMA1 vs IPG20N06S2L65ATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPG20N06S2L65AATMA1 tarafından Infineon ve IPG20N06S2L65ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IPG20N06S2L65AATMA1 | IPG20N06S2L65ATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | OptiMOS | — |
| FET Type | Dual N-Channel (Half Bridge / Independent) | Dual N-Channel, Logic Level |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 55 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 20 A (per channel) | 20 A per channel |
| Power Dissipation (PD) | 43 W | — |
| Gate Threshold (VGS(th)) | Logic-Level | — |
| Technology | OptiMOS Trench MOSFET | OptiMOS-T2 (Planar Trench 55V) |
| Paket | PG-TDSON-8-10 (TDSON-8 EP, wettable flank) | PG-TDSON-8-4 (TDSON-8 EP) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| İşletim Sıcaklığı | -55 C to +175 C | — |
| AEC-Q101 Qualification | Yes | — |
| MSL Seviyesi | MSL1 (peak reflow 260 C) | MSL1 (260°C peak reflow) |
| RoHS Durumu | Compliant (Green Product) | — |
| Avalanche Tested | 100% (per datasheet) | — |
| AOI Compatible | Yes (wettable flank) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 55 V |
| RDS(on) at VGS=10V | — | 65 mΩ typical |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 1.0 V to 2.5 V (logic level) |
| Total Power Dissipation (Ptot) | — | 43 W |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | — | -55°C to +175°C |
| Avalanche Rating | — | 100% Avalanche Tested |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 Qualified |
| RoHS Compliance | — | RoHS Compliant (Green Product) |
| Packaging | — | Tape & Reel (TMA1 suffix) |