IPG20N06S2L65AATMA1 vs IPG20N06S2L65ATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPG20N06S2L65AATMA1 بذریعہ Infineon اور IPG20N06S2L65ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IPG20N06S2L65AATMA1 IPG20N06S2L65AATMA1 - 55V Dual N-Ch OptiMOS 20A | Infineon

IPG20N06S2L65AATMA1 - 55V Dual N-Ch OptiMOS 20A | Infineon

IPG20N06S2L65AATMA1 ✓ فعال
Infineon
IPG20N06S2L65ATMA1 IPG20N06S2L65ATMA1 - Dual N-Ch 55V 20A MOSFET | Infineon

IPG20N06S2L65ATMA1 - Dual N-Ch 55V 20A MOSFET | Infineon

IPG20N06S2L65ATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IPG20N06S2L65AATMA1 IPG20N06S2L65ATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS —
FET Type Dual N-Channel (Half Bridge / Independent) Dual N-Channel, Logic Level
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) 20 A (per channel) 20 A per channel
Power Dissipation (PD) 43 W —
Gate Threshold (VGS(th)) Logic-Level —
Technology OptiMOS Trench MOSFET OptiMOS-T2 (Planar Trench 55V)
پیکیج PG-TDSON-8-10 (TDSON-8 EP, wettable flank) PG-TDSON-8-4 (TDSON-8 EP)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
آپریٹنگ درجہ حرارت -55 C to +175 C —
AEC-Q101 Qualification Yes —
MSL لیول MSL1 (peak reflow 260 C) MSL1 (260°C peak reflow)
RoHS اسٹیٹس Compliant (Green Product) —
Avalanche Tested 100% (per datasheet) —
AOI Compatible Yes (wettable flank) —
Drain-Source Voltage (VDS) — 55 V
RDS(on) at VGS=10V — 65 mΩ typical
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 1.0 V to 2.5 V (logic level)
Total Power Dissipation (Ptot) — 43 W
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -55°C to +175°C
Avalanche Rating — 100% Avalanche Tested
Automotive Qualification — AEC-Q101 Qualified
RoHS Compliance — RoHS Compliant (Green Product)
Packaging — Tape & Reel (TMA1 suffix)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں