IPG20N10S436AATMA1 vs BSC030N08NS5ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPG20N10S436AATMA1 tarafından Infineon ve BSC030N08NS5ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPG20N10S436AATMA1 BSC030N08NS5ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Configuration Dual N-Channel (2 Elements with Built-in Diode) —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) 20 A (per channel) —
Total Power Dissipation (PD) 43 W —
Operating Mode Enhancement Mode —
Paket PG-TDSON-8-10 (Wettable Flank) PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Operating Temperature (TJ max) +175 C —
JESD-609 Code e3 —
MSL Seviyesi MSL1 (260 C peak reflow) 1 (per JEDEC J-STD-020)
Automotive Qualification AEC-Q101 —
Avalanche Tested 100% —
AOI Compatible Yes (Wettable Flank) —
RoHS Durumu Compliant (Green Product) Compliant
Channel Type N-Channel Normal Level —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Type — N-Channel Power MOSFET
Technology — OptiMOS 5
Drain-Source Voltage (VDS) max — 80 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 100 A
Pulsed Drain Current (ID,pulse) — 161 A
Gate-Source Voltage (VGS) max — +/-20 V
RDS(on) max at VGS=10 V — 3.0 mOhm
RDS(on) max at VGS=7 V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=7V]
Power Dissipation (Ta=25C, 1.5mm FR4) — 2.5 W
Power Dissipation (TC=25C) — 139 W
Operating Temperature Range (TJ) — -55C to +150C
Klorürsüz — Yes
Lead-Free — Yes
Gate Drive Logic — Standard 10V, compatible with 12V drive
Optimized Application — Synchronous Rectification

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin