IPG20N10S436AATMA1 vs BSC030N08NS5ATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPG20N10S436AATMA1 بذریعہ Infineon اور BSC030N08NS5ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IPG20N10S436AATMA1 | BSC030N08NS5ATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Configuration | Dual N-Channel (2 Elements with Built-in Diode) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 20 A (per channel) | — |
| Total Power Dissipation (PD) | 43 W | — |
| Operating Mode | Enhancement Mode | — |
| پیکیج | PG-TDSON-8-10 (Wettable Flank) | PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Operating Temperature (TJ max) | +175 C | — |
| JESD-609 Code | e3 | — |
| MSL لیول | MSL1 (260 C peak reflow) | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | — |
| Avalanche Tested | 100% | — |
| AOI Compatible | Yes (Wettable Flank) | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant (Green Product) | Compliant |
| Channel Type | N-Channel Normal Level | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Type | — | N-Channel Power MOSFET |
| Technology | — | OptiMOS 5 |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 100 A |
| Pulsed Drain Current (ID,pulse) | — | 161 A |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | +/-20 V |
| RDS(on) max at VGS=10 V | — | 3.0 mOhm |
| RDS(on) max at VGS=7 V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=7V] |
| Power Dissipation (Ta=25C, 1.5mm FR4) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (TC=25C) | — | 139 W |
| Operating Temperature Range (TJ) | — | -55C to +150C |
| ہیلوجن فری | — | Yes |
| Lead-Free | — | Yes |
| Gate Drive Logic | — | Standard 10V, compatible with 12V drive |
| Optimized Application | — | Synchronous Rectification |