IPN70R1K4P7SATMA1 vs IPN70R2K0P7SATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPN70R1K4P7SATMA1 tarafından Infineon ve IPN70R2K0P7SATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IPN70R1K4P7SATMA1 | IPN70R2K0P7SATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Series | CoolMOS P7 | — |
| Transistor Türü | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) | 700 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 4 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | 1.4 ohm class (per '1K4' suffix) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] | 3.5 V (typical) |
| Total Power Dissipation (PD) at TC | 6.2 W | — |
| Technology | Superjunction (CoolMOS P7) | Superjunction (SJ) N-Channel MOSFET |
| Paket | PG-SOT223 (3-pin + tab, surface mount) | PG-SOT223 (3 leads + tab) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55C to +150C (TJ) | -55 °C to +150 °C |
| Configuration | Single with built-in diode | — |
| Pin Sayısı | 3 (Gate, Drain, Source) | — |
| DPAK Footprint Compatible | Yes (drop-in alternative to DPAK per datasheet) | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant (ROHS3) |
| MSL Seviyesi | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Part Family | — | CoolMOS P7 |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel Enhancement Mode |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 700 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | — | 3 A |
| Power Dissipation (PD, Tc=25°C) | — | 6 W |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | 2.0 Ω (max, VGS=10 V) |
| Gate-Source Voltage (VGS max) | — | ±20 V |
| Integrated ESD Diode | — | Yes |