IPN80R1K2P7ATMA1 vs IPL60R105P7AUMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPN80R1K2P7ATMA1 tarafından Infineon ve IPL60R105P7AUMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPN80R1K2P7ATMA1 IPL60R105P7AUMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Family / Series CoolMOS P7 —
Transistor Türü N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage VDSS 800 V —
Continuous Drain Current ID (Tc) 4.5 A —
Maximum RDS(on) 1200 mΩ at VGS = 10 V —
Power Dissipation PD (Tc) 6.8 W —
Gate-Source Voltage VGSS [DATA_NEEDED: VGSS absolute maximum] —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
Technology Superjunction (CoolMOS) Superjunction (SJ) N-Channel Power MOSFET
Paket SOT-223 (3-pin, 2 + tab) PG-VSON-4 (4-pin SMD with exposed pad)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55°C to +150°C (TJ) -55C to +150C
ESD Protection ESD-protected gate (per CoolMOS P7 family) —
RoHS Compliance Compliant —
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL rating]
Series — CoolMOS P7
Drain-Source Voltage (VDS) — 600 V
On-Resistance (RDS(on)) max — 105 mΩ
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 33 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (Ptot) at Tc — 137 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ — 3.5 V
Gate Charge (Qg) typ — 45 nC
Channel Type — N-Channel
RoHS Durumu — Compliant
Klorürsüz — Yes
Lead-Free — Yes

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin