IPP320N20N3GXKSA1 vs IPB35N10S3L26ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPP320N20N3GXKSA1 tarafından Infineon ve IPB35N10S3L26ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPP320N20N3GXKSA1 IPB35N10S3L26ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 3 OptiMOS-T
Technology N-Channel Trench MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 200 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 34 A —
On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10V 32 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 4 V —
Total Power Dissipation PD at TC=25°C 136 W —
Paket TO-220-3 (PG-TO220-3) through-hole —
Montaj Türü Through Hole Surface Mount
Pin Sayısı 3 (3 + Tab) —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55°C to +175°C —
Channel Type N-Channel N-Channel
Element Configuration Single —
RoHS Durumu Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Lead-Free Yes —
MSL Seviyesi Not applicable (through-hole) —
Maximum Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC — 35 A
Power Dissipation (PD) at TC — 71 W
Package Type — PG-TO263-3 (D2PAK-2)
Pin Sayısı — 3 (Gate, Drain, Source)
Channel Mode — Enhancement
RDS(on) (typical per Infineon product page) — 26.3 mΩ
Typical Gate Charge Qg @ Vgs — 80 nC
Maximum Drain-Source Resistance Rds — 1.7 mΩ (per RS Components listing)
Minimum Operating Temperature — -55 C
Maximum Power Dissipation Pd — 81 W (per RS Components listing)
AEC-Q101 Qualification — [DATA_NEEDED: AEC-Q101 qualification status]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin