IPP60R180P7XKSA1 vs IPA60R190C6XKSA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPP60R180P7XKSA1 tarafından Infineon ve IPA60R190C6XKSA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IPP60R180P7XKSA1 | IPA60R190C6XKSA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Technology | CoolMOS P7 (Superjunction N-Channel) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 18 A | — |
| Pulsed Drain Current (ID,pulse) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current at TC=25°C] | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 180 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | 3.5 V | — |
| Gate Charge Qg typ | [DATA_NEEDED: total gate charge at VGS=10V] | — |
| Power Dissipation PD at TC=25°C | 72 W | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55 °C to +150 °C | -55C to +150C |
| Paket | PG-TO220-3 (through-hole) | PG-TO220-FP (TO-220 FullPAK, 3+tab) |
| Montaj Türü | Through Hole | Through Hole |
| Pin Sayısı | 3 (Gate, Drain, Source) | — |
| Avalanche Energy Rated | Yes | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| MSL Seviyesi | N/A (through-hole) | — |
| Product Family | — | CoolMOS C6 |
| Transistor Türü | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | — | 20.2 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Power Dissipation (PD, Tc=25C) | — | 34 W |
| On-State Resistance (RDS(on)) | — | 190 mOhm at VGS=10V, ID=9.5A |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 3.5 V |
| Gate Charge (Qg, typ) | — | [DATA_NEEDED: Qg typ] |
| Tab Isolation | — | Fully isolated (4 kV) |
| Lead Free | — | Yes |