IPP60R180P7XKSA1 vs IPA60R190C6XKSA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPP60R180P7XKSA1 بذریعہ Infineon اور IPA60R190C6XKSA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IPA60R190C6XKSA1 IPA60R190C6XKSA1 - 600V 20.2A CoolMOS C6 N-MOSFET | Infineon

IPA60R190C6XKSA1 - 600V 20.2A CoolMOS C6 N-MOSFET | Infineon

IPA60R190C6XKSA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IPP60R180P7XKSA1 IPA60R190C6XKSA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Technology CoolMOS P7 (Superjunction N-Channel) —
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 600 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 18 A —
Pulsed Drain Current (ID,pulse) [DATA_NEEDED: pulsed drain current at TC=25°C] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 180 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 3.5 V —
Gate Charge Qg typ [DATA_NEEDED: total gate charge at VGS=10V] —
Power Dissipation PD at TC=25°C 72 W —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55 °C to +150 °C -55C to +150C
پیکیج PG-TO220-3 (through-hole) PG-TO220-FP (TO-220 FullPAK, 3+tab)
ماؤنٹنگ ٹائپ Through Hole Through Hole
پنز کی تعداد 3 (Gate, Drain, Source) —
Avalanche Energy Rated Yes —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
MSL لیول N/A (through-hole) —
Product Family — CoolMOS C6
ٹرانزسٹر کی قسم — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 20.2 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (PD, Tc=25C) — 34 W
On-State Resistance (RDS(on)) — 190 mOhm at VGS=10V, ID=9.5A
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 3.5 V
Gate Charge (Qg, typ) — [DATA_NEEDED: Qg typ]
Tab Isolation — Fully isolated (4 kV)
Lead Free — Yes

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں