IPT026N10N5ATMA1 vs IAUC120N06S5L015ATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPT026N10N5ATMA1 tarafından Infineon ve IAUC120N06S5L015ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Infineon
IAUC120N06S5L015ATMA1 - 60V 1.5mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon
IAUC120N06S5L015ATMA1 ✓ AktifÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | IPT026N10N5ATMA1 | IAUC120N06S5L015ATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 5 | — |
| Transistor Türü | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 60 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) | ±20 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | 202 A | — |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | 27 A | — |
| Maximum RDS(on) at VGS=10V | 2.6 mΩ | — |
| Maximum Power Dissipation (Tc=25°C) | 214 W | — |
| Paket | PG-HSOF-8-1 (TOLL) | PG-TDSON-8-43 (Surface Mount) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount (exposed pad) |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55 °C to +175 °C (TJ) | -55C to +175C (Tj) |
| Configuration | Single with built-in diode | — |
| Number of Terminals | 8 | — |
| Technology | Trench (OptiMOS 5) | N-Channel MOSFET (OptiMOS 5) |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| MSL Seviyesi | [DATA_NEEDED: MSL rating] | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Gate Charge (Qg typ) | [DATA_NEEDED: typical Qg] | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | — | 235 A |
| On-Resistance RDS(on) max (VGS=10 V) | — | 1.5 mΩ |
| Gate Charge (Qg, typ) | — | 88 nC |
| Power Dissipation (PD, Tc=25C) | — | 167 W |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 qualified |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Drain-Source On-State Resistance Test Conditions | — | VGS = 10 V, ID = 50 A |
| Typical Application | — | Automotive DC-DC, battery switches, motor drives |