IPT026N10N5ATMA1 vs IAUC120N06S5L015ATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IPT026N10N5ATMA1 מאת Infineon ו IAUC120N06S5L015ATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Infineon
IAUC120N06S5L015ATMA1 - 60V 1.5mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon
IAUC120N06S5L015ATMA1 ✓ פעילהשוואת מפרטים
| פרמטר | IPT026N10N5ATMA1 | IAUC120N06S5L015ATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 5 | — |
| סוג טרנזיסטור | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 60 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) | ±20 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | 202 A | — |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | 27 A | — |
| Maximum RDS(on) at VGS=10V | 2.6 mΩ | — |
| Maximum Power Dissipation (Tc=25°C) | 214 W | — |
| מארז | PG-HSOF-8-1 (TOLL) | PG-TDSON-8-43 (Surface Mount) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount (exposed pad) |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55 °C to +175 °C (TJ) | -55C to +175C (Tj) |
| Configuration | Single with built-in diode | — |
| Number of Terminals | 8 | — |
| Technology | Trench (OptiMOS 5) | N-Channel MOSFET (OptiMOS 5) |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| רמת MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Gate Charge (Qg typ) | [DATA_NEEDED: typical Qg] | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | — | 235 A |
| On-Resistance RDS(on) max (VGS=10 V) | — | 1.5 mΩ |
| Gate Charge (Qg, typ) | — | 88 nC |
| Power Dissipation (PD, Tc=25C) | — | 167 W |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 qualified |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Drain-Source On-State Resistance Test Conditions | — | VGS = 10 V, ID = 50 A |
| Typical Application | — | Automotive DC-DC, battery switches, motor drives |