IPT026N10N5ATMA1 vs IPT015N10N5ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPT026N10N5ATMA1 tarafından Infineon ve IPT015N10N5ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPT026N10N5ATMA1 IPT015N10N5ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 —
Transistor Türü N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 202 A —
Continuous Drain Current (ID, Ta) 27 A —
Maximum RDS(on) at VGS=10V 2.6 mΩ —
Maximum Power Dissipation (Tc=25°C) 214 W —
Paket PG-HSOF-8-1 (TOLL) PG-HSOF-8-1 (TOLL)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 °C to +175 °C (TJ) —
Configuration Single with built-in diode Single
Number of Terminals 8 —
Technology Trench (OptiMOS 5) OptiMOS™ 5
RoHS Durumu Compliant Compliant
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Gate Charge (Qg typ) [DATA_NEEDED: typical Qg] —
Part Number — IPT015N10N5ATMA1
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 100 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 300 A
On-Resistance RDS(on) Max — 1.5 mΩ
Power Dissipation (PD, Tc) — 375 W
İşletim Sıcaklığı — -55°C to +175°C
Gate Threshold VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg at VGS=10V]
Output Capacitance (Coss) — Reduced up to 44% vs prior generation (per manufacturer claim)
RDS(on) Improvement vs Prior Generation — Up to 43% reduction
Packaging — Tape & Reel

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin