IPT026N10N5ATMA1 vs IPT015N10N5ATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPT026N10N5ATMA1 بذریعہ Infineon اور IPT015N10N5ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IPT026N10N5ATMA1 IPT015N10N5ATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 —
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 202 A —
Continuous Drain Current (ID, Ta) 27 A —
Maximum RDS(on) at VGS=10V 2.6 mΩ —
Maximum Power Dissipation (Tc=25°C) 214 W —
پیکیج PG-HSOF-8-1 (TOLL) PG-HSOF-8-1 (TOLL)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55 °C to +175 °C (TJ) —
Configuration Single with built-in diode Single
Number of Terminals 8 —
Technology Trench (OptiMOS 5) OptiMOS™ 5
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
MSL لیول [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Gate Charge (Qg typ) [DATA_NEEDED: typical Qg] —
Part Number — IPT015N10N5ATMA1
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 100 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 300 A
On-Resistance RDS(on) Max — 1.5 mΩ
Power Dissipation (PD, Tc) — 375 W
آپریٹنگ درجہ حرارت — -55°C to +175°C
Gate Threshold VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg at VGS=10V]
Output Capacitance (Coss) — Reduced up to 44% vs prior generation (per manufacturer claim)
RDS(on) Improvement vs Prior Generation — Up to 43% reduction
Packaging — Tape & Reel

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں