IPT067N20NM6ATMA1 vs IPT012N08N5ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPT067N20NM6ATMA1 tarafından Infineon ve IPT012N08N5ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPT067N20NM6ATMA1 IPT012N08N5ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 6 —
Transistor Türü N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 200 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 15.3 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 137 A —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 3.8 W —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 300 W —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Paket PG-HSOF-8-1 (8-pin + exposed tab) PG-HSOF-8 (TOLL)
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +150C (junction) -55C to +175C (TJ max)
Technology Trench-gate OptiMOS 6 silicon OptiMOS 5
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: max VGS rating] —
On-Resistance RDS(on) typ [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] —
Gate Charge (Qg) typ [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL moisture sensitivity level] —
Configuration Single N-channel —
Part Number — IPT012N08N5ATMA1
Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 80 V
Continuous Drain Current (ID, TC) — 300 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 400 A
On-Resistance RDS(on) Max — 1.2 mOhm
Total Gate Charge QG — 208 nC
Gate-to-Drain Charge QGD — 178 nC
Power Dissipation (PD, TC) — 375 W
Qualification — JEDEC JESD47, JESD22, J-STD-020 (industrial)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin