IPT067N20NM6ATMA1 vs IPT012N08N5ATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IPT067N20NM6ATMA1 מאת Infineon ו IPT012N08N5ATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | IPT067N20NM6ATMA1 | IPT012N08N5ATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 6 | — |
| סוג טרנזיסטור | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 200 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 15.3 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 137 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 3.8 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 300 W | — |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| מארז | PG-HSOF-8-1 (8-pin + exposed tab) | PG-HSOF-8 (TOLL) |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55C to +150C (junction) | -55C to +175C (TJ max) |
| Technology | Trench-gate OptiMOS 6 silicon | OptiMOS 5 |
| Gate-Source Voltage (VGS) | [DATA_NEEDED: max VGS rating] | — |
| On-Resistance RDS(on) typ | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] | — |
| Gate Charge (Qg) typ | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| Threshold Voltage VGS(th) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| רמת MSL | [DATA_NEEDED: MSL moisture sensitivity level] | — |
| Configuration | Single N-channel | — |
| Part Number | — | IPT012N08N5ATMA1 |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID, TC) | — | 300 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 400 A |
| On-Resistance RDS(on) Max | — | 1.2 mOhm |
| Total Gate Charge QG | — | 208 nC |
| Gate-to-Drain Charge QGD | — | 178 nC |
| Power Dissipation (PD, TC) | — | 375 W |
| Qualification | — | JEDEC JESD47, JESD22, J-STD-020 (industrial) |