IPTC017N12NM6ATMA1 vs IGD08N120S7ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPTC017N12NM6ATMA1 tarafından Infineon ve IGD08N120S7ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IGD08N120S7ATMA1 IGD08N120S7ATMA1 - 1200V Trench Stop IGBT, 24A | Infineon

IGD08N120S7ATMA1 - 1200V Trench Stop IGBT, 24A | Infineon

IGD08N120S7ATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPTC017N12NM6ATMA1 IGD08N120S7ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs IGBTs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Technology OptiMOS 6, N-channel trench MOSFET Trench Field Stop, 7th generation
Drain-Source Voltage (VDS) 120 V —
Continuous Drain Current (ID, Ta) 32 A —
Continuous Drain Current (ID, Tc) 331 A —
On-State Resistance RDS(on) max 1.7 mΩ at VGS = 10 V —
Gate-Source Threshold VGS(th) 2.4 V (typ) —
Total Gate Charge QG 141 nC at VGS = 10 V —
Input Capacitance Ciss 2.4 nF at VDS = 60 V —
Output Capacitance Coss 11000 pF at VDS = 60 V —
Power Dissipation (Ta) 3.8 W —
Power Dissipation (Tc) 395 W —
Paket PG-HDSOP-16 (Surface Mount) PG-TO252-3 (DPAK)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı -55 °C to +175 °C (TJ max) —
Gate Drive Voltage (recommended) 10 V —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — IGBT 7 (S7) Trench Field Stop
Collector-Emitter Voltage (Vce max) — 1200 V
Continuous Collector Current (Ic, Tc=25C) — 24 A
Pulsed Collector Current (Icm) — [DATA_NEEDED: pulsed collector current]
Total Power Dissipation (Ptot) — 106 W
Gate-Emitter Voltage (Vge max) — [DATA_NEEDED: Vge max]
VCE(sat) at rated Ic — 1.65 V
Co-packaged Diode — Yes (anti-parallel emitter diode)
İşletim Jant Sıcaklığı — -40C to +175C (industry grade)
Configuration — Single

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin