IQD005N04NM6CGATMA1 vs BSZ024N04LS6ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IQD005N04NM6CGATMA1 tarafından Infineon ve BSZ024N04LS6ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IQD005N04NM6CGATMA1 IQD005N04NM6CGATMA1 - 40V 0.5mΩ OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IQD005N04NM6CGATMA1 - 40V 0.5mΩ OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IQD005N04NM6CGATMA1 ✓ Aktif
Infineon
BSZ024N04LS6ATMA1 BSZ024N04LS6ATMA1 - 40V 24A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

BSZ024N04LS6ATMA1 - 40V 24A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

BSZ024N04LS6ATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre IQD005N04NM6CGATMA1 BSZ024N04LS6ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS 6 (trench FET) OptiMOS 6 (shielded-gate trench)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 40 V —
Gate-to-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
RDS(on) Typical 0.5 mΩ —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 58 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 610 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM pulsed rating] —
Power Dissipation at Ta 3 W —
Power Dissipation at Tc 333 W —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 °C to +150 °C (TJ) —
Paket PG-TTFN-9-U02 (Source-Down 5x6 mm²) PG-TSDSON-8-FL (3.3 mm x 3.3 mm)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount, top-side drain pad
Pin Sayısı 9 —
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS Durumu Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Source Configuration Source-Down (bottom-side source for PCB heatsinking) —
Transistor Türü — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (V_DS) — 40 V
Continuous Drain Current (I_D, Ta) — 24 A
Continuous Drain Current (I_D, Tc) — 40 A
Pulsed Drain Current (I_DM) — 130 A
R_DS(on) Max @ V_GS=10V — 2.4 mΩ
R_DS(on) Max @ V_GS=4.5V — [DATA_NEEDED: R_DS(on) at 4.5V]
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — 2.3 V (typical)
Total Gate Charge (Q_g) @ V_GS=10V — 25 nC
Input Capacitance (C_iss) — 1.8 nF
Output Capacitance (C_oss) — 19 pF
Power Dissipation (P_D, Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (P_D, Tc) — 75 W
İşletim Jant Sıcaklığı — -55°C to +175°C

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin