IQD005N04NM6CGATMA1 vs BSZ024N04LS6ATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của IQD005N04NM6CGATMA1 bằng Infineon và BSZ024N04LS6ATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
IQD005N04NM6CGATMA1 - 40V 0.5mΩ OptiMOS 6 MOSFET | Infineon
IQD005N04NM6CGATMA1 ✓ Hoạt động
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IQD005N04NM6CGATMA1 | BSZ024N04LS6ATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS 6 (trench FET) | OptiMOS 6 (shielded-gate trench) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| RDS(on) Typical | 0.5 mΩ | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 58 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 610 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: IDM pulsed rating] | — |
| Power Dissipation at Ta | 3 W | — |
| Power Dissipation at Tc | 333 W | — |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -55 °C to +150 °C (TJ) | — |
| Hộp | PG-TTFN-9-U02 (Source-Down 5x6 mm²) | PG-TSDSON-8-FL (3.3 mm x 3.3 mm) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount, top-side drain pad |
| Số chân | 9 | — |
| Cấp MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Source Configuration | Source-Down (bottom-side source for PCB heatsinking) | — |
| Kiểu transitor | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (I_D, Ta) | — | 24 A |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc) | — | 40 A |
| Pulsed Drain Current (I_DM) | — | 130 A |
| R_DS(on) Max @ V_GS=10V | — | 2.4 mΩ |
| R_DS(on) Max @ V_GS=4.5V | — | [DATA_NEEDED: R_DS(on) at 4.5V] |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | — | 2.3 V (typical) |
| Total Gate Charge (Q_g) @ V_GS=10V | — | 25 nC |
| Input Capacitance (C_iss) | — | 1.8 nF |
| Output Capacitance (C_oss) | — | 19 pF |
| Power Dissipation (P_D, Ta) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (P_D, Tc) | — | 75 W |
| Nhiệt độ mối nối hoạt động | — | -55°C to +175°C |