IQD005N04NM6CGATMA1 vs BSZ024N04LS6ATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IQD005N04NM6CGATMA1 بذریعہ Infineon اور BSZ024N04LS6ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IQD005N04NM6CGATMA1 IQD005N04NM6CGATMA1 - 40V 0.5mΩ OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IQD005N04NM6CGATMA1 - 40V 0.5mΩ OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IQD005N04NM6CGATMA1 ✓ فعال
Infineon
BSZ024N04LS6ATMA1 BSZ024N04LS6ATMA1 - 40V 24A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

BSZ024N04LS6ATMA1 - 40V 24A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

BSZ024N04LS6ATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IQD005N04NM6CGATMA1 BSZ024N04LS6ATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS 6 (trench FET) OptiMOS 6 (shielded-gate trench)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 40 V —
Gate-to-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
RDS(on) Typical 0.5 mΩ —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 58 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 610 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM pulsed rating] —
Power Dissipation at Ta 3 W —
Power Dissipation at Tc 333 W —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55 °C to +150 °C (TJ) —
پیکیج PG-TTFN-9-U02 (Source-Down 5x6 mm²) PG-TSDSON-8-FL (3.3 mm x 3.3 mm)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount, top-side drain pad
پن کی تعداد 9 —
MSL لیول [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Source Configuration Source-Down (bottom-side source for PCB heatsinking) —
ٹرانزسٹر کی قسم — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (V_DS) — 40 V
Continuous Drain Current (I_D, Ta) — 24 A
Continuous Drain Current (I_D, Tc) — 40 A
Pulsed Drain Current (I_DM) — 130 A
R_DS(on) Max @ V_GS=10V — 2.4 mΩ
R_DS(on) Max @ V_GS=4.5V — [DATA_NEEDED: R_DS(on) at 4.5V]
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — 2.3 V (typical)
Total Gate Charge (Q_g) @ V_GS=10V — 25 nC
Input Capacitance (C_iss) — 1.8 nF
Output Capacitance (C_oss) — 19 pF
Power Dissipation (P_D, Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (P_D, Tc) — 75 W
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت — -55°C to +175°C

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں