IQE008N03LM5ATMA1 vs ISC011N06LM5ATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IQE008N03LM5ATMA1 tarafından Infineon ve ISC011N06LM5ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IQE008N03LM5ATMA1 | ISC011N06LM5ATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 5 | — |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | 27 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 253 A | — |
| On-Resistance RDS(on) Typical | 0.85 mΩ (at 20 A, VGS=10 V per LCSC datasheet snippet) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2 V (at 250 µA per LCSC snippet) | [DATA_NEEDED: VGS(th) value] |
| Power Dissipation at TA=25°C | 2.1 W | — |
| Power Dissipation at TC=25°C | 89 W | — |
| Paket | PG-TSON-8-4 (3.3 x 3.3 mm), Source-Down | PG-TDSON-8-17 (SuperSO8 5x6 mm) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55°C to +150°C (typical MOSFET junction rating) | -55C to +175C |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | ±20 V (typical MOSFET rating) | — |
| Technology | OptiMOS 5, Source-Down | OptiMOS 5 |
| RoHS Durumu | Compliant (per LCSC listing) | Compliant |
| MSL Seviyesi | [DATA_NEEDED: MSL level] | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Part Number | — | ISC011N06LM5ATMA1 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 37 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 288 A |
| Power Dissipation (PD) at Ta | — | 3 W |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 188 W |
| RDS(on) max at VGS=10V | — | 1.15 mOhm |
| Pin Sayısı | — | 8 |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg value] |