IQE012N03LM5CGSCATMA1 vs ISZ019N03L5SATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IQE012N03LM5CGSCATMA1 tarafından Infineon ve ISZ019N03L5SATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IQE012N03LM5CGSCATMA1 IQE012N03LM5CGSCATMA1 - 30V 1.15mΩ OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IQE012N03LM5CGSCATMA1 - 30V 1.15mΩ OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IQE012N03LM5CGSCATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre IQE012N03LM5CGSCATMA1 ISZ019N03L5SATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS 5 (trench MOSFET) —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) @ Ta 34 A —
Continuous Drain Current (ID) @ Tc 224 A —
Maximum RDS(on) @ VGS=10V 1.15 mΩ —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 107 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2 V (typ, per Merlin listing) 2 V (typical)
Paket PG-WHTFN-9-1 (PQFN 3.3 × 3.3 mm Source-Down dual-side cooled) PG-TSDSON-8-FL (5x6 mm)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Jant Sıcaklığı -55 °C to +175 °C —
MSL Seviyesi 1 (per JEDEC J-STD-020, floor life unlimited) 1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS Durumu Compliant —
Lead-Free Yes —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 5 (<= 40V)
Polarity / Channel Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 22 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 40 A
RDS(on) at VGS=10V — 1.9 mΩ (typical, ID=20A)
Gate-Source Voltage Rating (VGS) — ±20 V
Total Gate Charge (Qg) — 44 nC at VGS=10V
Input Capacitance (Ciss) — 2800 pF at VDS=15V
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55C to +175C (TJ max)
RoHS / REACH — Compliant
Avalanche Rated — Yes
RG-tested — 100%

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin