IQE012N03LM5CGSCATMA1 vs ISZ019N03L5SATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IQE012N03LM5CGSCATMA1 بذریعہ Infineon اور ISZ019N03L5SATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IQE012N03LM5CGSCATMA1 IQE012N03LM5CGSCATMA1 - 30V 1.15mΩ OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IQE012N03LM5CGSCATMA1 - 30V 1.15mΩ OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IQE012N03LM5CGSCATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IQE012N03LM5CGSCATMA1 ISZ019N03L5SATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS 5 (trench MOSFET) —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) @ Ta 34 A —
Continuous Drain Current (ID) @ Tc 224 A —
Maximum RDS(on) @ VGS=10V 1.15 mΩ —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 107 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2 V (typ, per Merlin listing) 2 V (typical)
پیکیج PG-WHTFN-9-1 (PQFN 3.3 × 3.3 mm Source-Down dual-side cooled) PG-TSDSON-8-FL (5x6 mm)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55 °C to +175 °C —
MSL لیول 1 (per JEDEC J-STD-020, floor life unlimited) 1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS اسٹیٹس Compliant —
Lead-Free Yes —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 5 (<= 40V)
Polarity / Channel Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 22 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 40 A
RDS(on) at VGS=10V — 1.9 mΩ (typical, ID=20A)
Gate-Source Voltage Rating (VGS) — ±20 V
Total Gate Charge (Qg) — 44 nC at VGS=10V
Input Capacitance (Ciss) — 2800 pF at VDS=15V
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -55C to +175C (TJ max)
RoHS / REACH — Compliant
Avalanche Rated — Yes
RG-tested — 100%

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں