IQE050N08NM5CGATMA1 vs IQE036N08NM6CGSCATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IQE050N08NM5CGATMA1 tarafından Infineon ve IQE036N08NM6CGSCATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IQE036N08NM6CGSCATMA1 IQE036N08NM6CGSCATMA1 - 80V 118A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IQE036N08NM6CGSCATMA1 - 80V 118A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IQE036N08NM6CGSCATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre IQE050N08NM5CGATMA1 IQE036N08NM6CGSCATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V 80 V
Continuous Drain Current (Ta) 16 A —
Continuous Drain Current (Tc) 101 A —
On-Resistance RDS(on) Max 5.0 mΩ —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 100 W —
Paket PG-TTFN-9-1 (Surface Mount) —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 5 (Source-Down) Trench MOSFET (OptiMOS 6)
Gate Threshold Vgs(th) Typ [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value] —
İşletim Sıcaklığı -55°C to +175°C (TJ max) —
Total Gate Charge Qg Typ [DATA_NEEDED: total gate charge Qg typical] —
RoHS Durumu Compliant Compliant
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS 6
Part Status — Active
Continuous Drain Current (ID) at TA — 16.7 A
Continuous Drain Current (ID) at TC — 118 A
Power Dissipation (PD) at TA — 2.5 W
Power Dissipation (PD) at TC — 125 W
Paket / Kas — PG-WHTFN-9-1 (PQFN 3.3 x 3.3 mm)
Configuration — Source Down, Center Gate, Dual-Side Cooling
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55 C to +150 C (junction, per datasheet derating curves)
Packing — Tape and Reel (suffix ATMA1)
Voltage Rating — 60 V to 100 V category (80 V nominal)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin