IQE050N08NM5CGATMA1 vs IQE036N08NM6CGSCATMA1 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار IQE050N08NM5CGATMA1 توسط Infineon و IQE036N08NM6CGSCATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
Infineon
IQE050N08NM5CGATMA1 - 80V N-Ch MOSFET 5mΩ Source-Down | Infineon
IQE050N08NM5CGATMA1 ✓ فعالInfineon
IQE036N08NM6CGSCATMA1 - 80V 118A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon
IQE036N08NM6CGSCATMA1 ✓ فعالمقایسه مشخصات
| پارامتر | IQE050N08NM5CGATMA1 | IQE036N08NM6CGSCATMA1 |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | 80 V |
| Continuous Drain Current (Ta) | 16 A | — |
| Continuous Drain Current (Tc) | 101 A | — |
| On-Resistance RDS(on) Max | 5.0 mΩ | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 100 W | — |
| بسته‌بندی | PG-TTFN-9-1 (Surface Mount) | — |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS 5 (Source-Down) | Trench MOSFET (OptiMOS 6) |
| Gate Threshold Vgs(th) Typ | [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value] | — |
| دمای کاری | -55°C to +175°C (TJ max) | — |
| Total Gate Charge Qg Typ | [DATA_NEEDED: total gate charge Qg typical] | — |
| وضعیت RoHS | Compliant | Compliant |
| سطح MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | OptiMOS 6 |
| Part Status | — | Active |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | — | 16.7 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 118 A |
| Power Dissipation (PD) at TA | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) at TC | — | 125 W |
| بسته‌بندی / کیس | — | PG-WHTFN-9-1 (PQFN 3.3 x 3.3 mm) |
| Configuration | — | Source Down, Center Gate, Dual-Side Cooling |
| محدوده دمای کاری | — | -55 C to +150 C (junction, per datasheet derating curves) |
| Packing | — | Tape and Reel (suffix ATMA1) |
| Voltage Rating | — | 60 V to 100 V category (80 V nominal) |