IQE050N08NM5CGSCATMA1 vs IQE065N10NM5CGSCATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IQE050N08NM5CGSCATMA1 tarafından Infineon ve IQE065N10NM5CGSCATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Infineon
IQE050N08NM5CGSCATMA1 - 80V 99A OptiMOS 5 N-Channel MOSFET | Infineon
IQE050N08NM5CGSCATMA1 ✓ AktifÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | IQE050N08NM5CGSCATMA1 | IQE065N10NM5CGSCATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS 5 (trench) | OptiMOS 5 trench-gate |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 99 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | 16 A | 13 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 5.0 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | 3.8 V | — |
| Gate Charge Qg typ | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| Total Power Dissipation at TC (PD) | 100 W | — |
| Total Power Dissipation at TA (PD) | 2.5 W | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55C to +175C (junction, typical) | -55 C to +150 C |
| Paket | PG-WHTFN-9-1 (Source-Down) | PG-WHTFN-9-1 (Source-Down) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Lead-Free / RoHS | Lead-free, RoHS compliant | — |
| MSL Seviyesi | 1 | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | OptiMOS 5 |
| Transistor Türü | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25 C | — | 85 A |
| On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V | — | 6.5 mOhm |
| Power Dissipation at TA | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at TC | — | 100 W |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| RoHS Durumu | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |