IQE050N08NM5CGSCATMA1 vs IQE065N10NM5CGSCATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IQE050N08NM5CGSCATMA1 بذریعہ Infineon اور IQE065N10NM5CGSCATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Infineon
IQE050N08NM5CGSCATMA1 - 80V 99A OptiMOS 5 N-Channel MOSFET | Infineon
IQE050N08NM5CGSCATMA1 ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IQE050N08NM5CGSCATMA1 | IQE065N10NM5CGSCATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS 5 (trench) | OptiMOS 5 trench-gate |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 99 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | 16 A | 13 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 5.0 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | 3.8 V | — |
| Gate Charge Qg typ | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| Total Power Dissipation at TC (PD) | 100 W | — |
| Total Power Dissipation at TA (PD) | 2.5 W | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55C to +175C (junction, typical) | -55 C to +150 C |
| پیکیج | PG-WHTFN-9-1 (Source-Down) | PG-WHTFN-9-1 (Source-Down) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Lead-Free / RoHS | Lead-free, RoHS compliant | — |
| MSL لیول | 1 | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | OptiMOS 5 |
| ٹرانزسٹر کی قسم | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25 C | — | 85 A |
| On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V | — | 6.5 mOhm |
| Power Dissipation at TA | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at TC | — | 100 W |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| RoHS اسٹیٹس | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |