IQEH46NE2LM7UCGSCATMA1 vs IQDH35N03LM5SCATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IQEH46NE2LM7UCGSCATMA1 tarafından Infineon ve IQDH35N03LM5SCATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IQEH46NE2LM7UCGSCATMA1 IQEH46NE2LM7UCGSCATMA1 - 25V 440A OptiMOS 7 N-FET | Infineon

IQEH46NE2LM7UCGSCATMA1 - 25V 440A OptiMOS 7 N-FET | Infineon

IQEH46NE2LM7UCGSCATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre IQEH46NE2LM7UCGSCATMA1 IQDH35N03LM5SCATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Transistor Türü N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Technology OptiMOS 7 (trench) OptiMOS 5 (trench, shielded-gate)
Drain-Source Voltage (VDS) 25 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC 440 A —
Continuous Drain Current (ID) at TA 57 A —
Power Dissipation at TA 2.5 W —
Power Dissipation at TC 150 W —
Maximum On-Resistance (RDS(on)) 0.46 mOhm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2 V —
Paket PG-WHTFN-9-1 (PQFN 3.3x3.3 Source-Down) PG-WHSON-8-U02 (PQFN 5x6 Source-Down, 8-pin)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Polarity / Channel Type Single N-Channel —
Operating Mode Enhancement-mode —
Topology Suitability Hard- and soft-switching —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Drain-Source Voltage (VDS) max — 30 V
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 66 A
Pulsed Drain Current (IDM) at Tc — 700 A
On-State Resistance (RDS(on)) max — 0.35 mOhm @ VGS=10V
Power Dissipation (PD) at Ta — 2.5 W
Power Dissipation (PD) at Tc — 278 W
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55 C to +175 C
MSL Seviyesi — 1 (unlimited)
Marking — IQDH35N03LM5S

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin