IR2304SPBF vs IR2109SPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IR2304SPBF tarafından Infineon ve IR2109SPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IR2304SPBF IR2109SPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Product Type Half-Bridge Gate Driver IC —
Configuration High and Low Side, Independent Channels —
Çıkış Sayısı 2 —
Maximum Offset (Bootstrap) Voltage 600 V —
Gate Drive Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Output Source/Sink Current 60 mA / 130 mA —
Propagation Delay (Typical) 220 ns —
Input Logic Compatibility 3.3 V, 5 V, 15 V 3.3 V / 5 V CMOS / TTL
Undervoltage Lockout (UVLO) Both High-Side and Low-Side Channels —
Negative Transient Voltage Tolerance Yes (dV/dt immune) —
Logic Input Polarity Non-Inverting —
Paket 8-Pin SOIC (SO-8 N) SOIC-8
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı Aralığı -40 C to +125 C —
Technology HVIC + Latch-Immune CMOS, Monolithic —
RoHS Durumu Compliant (Pb-free) Compliant
Driver Configuration — Half-Bridge
Number of Drivers — 2 (high-side + low-side)
High-Side Voltage Tolerance — 600 V
Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Source Current (typical) — 0.2 A
Sink Current (typical) — 0.35 A
Turn-On Propagation Delay — 150 ns
Turn-Off Propagation Delay — 150 ns
Artış Süresi — 200 ns
Düşüş Süresi — 50 ns
Quiescent VCC Current — 1 mA
Undervoltage Lockout — Yes (VCC)
Bootstrap Diode — Integrated
İşletim Jant Sıcaklığı — -40 C to +150 C

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin