IRF1310NSTRLPBF vs IRLS3036TRLPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRF1310NSTRLPBF tarafından Infineon ve IRLS3036TRLPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRF1310NSTRLPBF IRLS3036TRLPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Transistor Türü N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 42 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 36 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Total Gate Charge (Qg) 73.3 nC —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 160 W —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 3.8 W —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +175C -55C to +175C
Paket D2PAK (TO-263AB) D2PAK (TO-263), surface mount
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Technology IR MOSFET (HEXFET) IR HEXFET (planar DMOS)
Built-in Diode Yes (intrinsic body diode) —
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix) —
Configuration Single with built-in diode —
Polarity — N-Channel
Drain-Source Voltage (Vdss) — 60 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C — 270 A
Continuous Drain Current (Id) at Tc=100C — 195 A
Pulsed Drain Current (Idm) — 1100 A
Rds(on) max @ Vgs=10V — 1.9 mOhm
Gate-Source Threshold Voltage (Vgs(th)) — Logic level (see datasheet for exact value) [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical/min/max]
Total Gate Charge (Qg) typ — 91 nC
Gate-Source Voltage (Vgs) max — [DATA_NEEDED: Vgs max +/- V]
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C — 380 W
MSL Seviyesi — 1
RoHS Durumu — Compliant (PBF suffix)
Lead-Free — Yes (PBF suffix)
Integrated Body Diode — Yes (avalanche rated)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin