IRF1310NSTRLPBF vs IRLS3036TRLPBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IRF1310NSTRLPBF מאת Infineon ו IRLS3036TRLPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
IRF1310NSTRLPBF IRF1310NSTRLPBF - 100V 42A N-Channel MOSFET | Infineon D2PAK

IRF1310NSTRLPBF - 100V 42A N-Channel MOSFET | Infineon D2PAK

IRF1310NSTRLPBF ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר IRF1310NSTRLPBF IRLS3036TRLPBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
סוג טרנזיסטור N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 42 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 36 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Total Gate Charge (Qg) 73.3 nC —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 160 W —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 3.8 W —
טווח טמפרטורת פעולה -55C to +175C -55C to +175C
מארז D2PAK (TO-263AB) D2PAK (TO-263), surface mount
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Technology IR MOSFET (HEXFET) IR HEXFET (planar DMOS)
Built-in Diode Yes (intrinsic body diode) —
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix) —
Configuration Single with built-in diode —
Polarity — N-Channel
Drain-Source Voltage (Vdss) — 60 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C — 270 A
Continuous Drain Current (Id) at Tc=100C — 195 A
Pulsed Drain Current (Idm) — 1100 A
Rds(on) max @ Vgs=10V — 1.9 mOhm
Gate-Source Threshold Voltage (Vgs(th)) — Logic level (see datasheet for exact value) [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical/min/max]
Total Gate Charge (Qg) typ — 91 nC
Gate-Source Voltage (Vgs) max — [DATA_NEEDED: Vgs max +/- V]
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C — 380 W
רמת MSL — 1
סטטוס RoHS — Compliant (PBF suffix)
Lead-Free — Yes (PBF suffix)
Integrated Body Diode — Yes (avalanche rated)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר